新葡的京集团350vip8888(澳门)股份有限公司-BinG百科

中文 EN
首页
关于我们
新品发布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
新产品宣告

产品介绍 1.采用新葡的京集团350vip8888SGT特殊工艺制程,根据电机驱动和电源应用要求,优化导通内阻(Rdson)和 栅极电荷(Qg)性能,降低导通损耗和开关损耗,提升系统效率;
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题,提升产品整体的可靠性。
产品特点 1.采用新葡的京集团350vip8888SGT特殊工艺制程设计,具有更高的工艺稳定性和可靠性;
2.系列产品具有更快的开关速度,更小的栅电荷和更高的应用效率;
3.采用PDFN5060封装,更好的热阻特性。
规格书

YJG88G12A

相关新品

YBS2G海鸥脚贴片整流桥

小信号DFN1006-3L新封装

三相整流模块N5/N6产品

SOD-123HE 二极管

用于散热风扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

IGBT 中低频系列C3模块

应用于PD电源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

IGBT 50A/75A 1200V单管——工控应用

GBU封装扩充35A-50A大电流系列产品

SMBF二极管

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验,相关信息请访问我们的法律声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示,便表示您已接受我们网站的使用条款。

XML 地图