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120V SGT工艺N-Channel MOSFET
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新产品宣告

产品介绍 1.采用新葡的京集团350vip8888SGT特殊工艺制程,根据电机驱动和电源应用要求,优化导通内阻(Rdson)和 栅极电荷(Qg)性能,降低导通损耗和开关损耗,提升系统效率;
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题,提升产品整体的可靠性。
产品特点 1.采用新葡的京集团350vip8888SGT特殊工艺制程设计,具有更高的工艺稳定性和可靠性;
2.系列产品具有更快的开关速度,更小的栅电荷和更高的应用效率;
3.采用PDFN5060封装,更好的热阻特性。
规格书

YJG88G12A

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